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          專利名稱
          主分類
          A 農業
          B 作業;運輸
          C 化學;冶金
          D 紡織;造紙
          E 固定建筑物
          F 機械工程、照明、加熱
          G 物理
          H 電學
          專利下載VIP
          公布日期
          2022-07-26 公布專利
          2022-07-22 公布專利
          2022-07-19 公布專利
          2022-07-15 公布專利
          2022-07-12 公布專利
          2022-07-08 公布專利
          2022-07-05 公布專利
          2022-07-01 公布專利
          2022-06-28 公布專利
          2022-06-24 公布專利
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          專利權人
          國家電網公司
          華為技術有限公司
          浙江大學
          中興通訊股份有限公司
          三星電子株式會社
          中國石油化工股份有限公司
          清華大學
          鴻海精密工業股份有限公司
          松下電器產業株式會社
          上海交通大學
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          • [發明專利]一種輔助圖形的添加方法-CN201611259536.0有效
          • 胡紅梅 - 上海集成電路研發中心有限公司
          • 2016-12-30 - 2019-10-25 - G03F1/36
          • 本發明提供了一種輔助圖形的添加方法,包括:提供一OPC目標圖形,根據輔助圖形基準規則,選取其中只能加入一根輔助圖形部分的規則,建立輔助圖形額外規則;把目標圖形整體進行放大,使目標圖形的所有邊向外擴展A距離;基于輔助圖形額外規則,將該輔助圖形額外規則中相應目標圖形之間的距離值減去2A;并且,基于A距離,將輔助圖形額外規則中因目標圖形整體放大而受到影響的其他參數進行相應調整;運行輔助圖形額外規則,生成第一輔助圖形;以第一輔助圖形作為新增的參考圖形,對目標圖形執行輔助圖形基準規則,生成第二輔助圖形;將第一輔助圖形,第二輔助圖形和其它已有輔助圖形疊加構成最終的輔助圖形。
          • 輔助圖形目標圖形基準規則放大減去疊加參考
          • [發明專利]圖形識別處理方法、裝置、存儲介質和電子設備-CN202110778430.6在審
          • 郭彥超 - 北京易真學思教育科技有限公司
          • 2021-07-09 - 2021-08-10 - G06T11/20
          • 本公開涉及一種圖形識別處理方法、裝置、存儲介質和電子設備,其中所述方法包括:獲取繪制圖形時的多個軌跡點坐標數據,基于多個軌跡點坐標數據擬合得到擬合圖形;獲取擬合圖形圖形參數,其中不同擬合圖形對應的圖形參數不同;若圖形參數滿足預設圖形判定條件,則將擬合圖形確定為對應的目標圖形并顯示該目標圖形。本公開實施方案可以對擬合圖形結果進行判斷,在擬合圖形對應的圖形參數滿足預設圖形判定條件時,確定擬合成功,并將擬合圖形確定為目標圖形以顯示目標圖形,從而可以較為準確地確定涂鴉繪制的幾何圖形對應的目標圖形,進而可方便地生成老師需要的目標圖形,避免多次重復涂鴉操作,方便老師高效地講課。
          • 圖形識別處理方法裝置存儲介質電子設備
          • [發明專利]一種多尺度圖形識別方法及系統-CN202110634739.8在審
          • 汪知禮 - 汪知禮
          • 2021-06-08 - 2021-08-13 - G06T5/50
          • 本發明涉及一種圖形識別的技術領域,公開了一種多尺度圖形識別方法,包括:獲取待識別圖形,將待識別圖形轉換為圖形灰度圖,并利用局部最大類間方差法對圖形灰度圖進行二值化處理,得到二值化圖形;利用自適應圖形增強算法對二值化圖形進行細節增強處理;利用圖形分解算法對細節增強后的圖形進行分解處理,將圖形的輪廓和紋理尺度信息分解到不同的圖形;利用多尺度融合算法將不同尺度的圖形進行融合處理,得到融合后的圖形;將融合后的圖形作為圖形識別模型的輸入,利用圖形識別模型對融合后的圖形進行圖形識別本發明還提供了一種多尺度圖形識別系統。本發明實現了多尺度的圖形識別。
          • 一種尺度圖形識別方法系統
          • [發明專利]FINFET多輸入標準單元版圖結構及半導體器件-CN202111005046.9在審
          • 阮筱津;高唯歡;胡曉明 - 上海華力微電子有限公司
          • 2021-08-30 - 2021-11-30 - H01L27/02
          • 本發明提供一種FINFET多輸入標準單元版圖結構,包括有源區圖形、六個柵條圖形、有源區金屬圖形、有源區金屬截斷圖形、柵線金屬圖形、輸入連接孔圖形、連接金屬圖形,四個柵條金屬圖形依次位于中間的四個柵條圖形上且位于兩個有源區圖形之間,四個柵條金屬圖形交錯排布且均偏向對應柵條圖形的同一側,第一金屬圖形至第四金屬圖形依次覆蓋四個輸入連接孔圖形,第五金屬圖形位于第四金屬圖形相對第三金屬圖形的兩個有源區金屬圖形上且位于相應的柵條圖形之間。本發明中,利用有源區金屬截斷圖形以截斷有源區金屬圖形,以使得柵條金屬圖形可以交錯排布,從而達到柵條金屬圖形上的連接金屬圖形緊湊排布的目的,以解決多輸入標準單元布置不緊湊的問題。
          • finfet輸入標準單元版圖結構半導體器件
          • [發明專利]雙重圖形曝光掩模制造方法及雙重圖形曝光方法-CN201010240544.7無效
          • 樸世鎮 - 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
          • 2010-07-23 - 2012-02-08 - G03F1/72
          • 一種雙重圖形曝光掩模制造方法及一種雙重圖形曝光方法,其中雙重圖形曝光掩模制造方法包括:提供目標圖形,所述目標圖形包括第一圖形和第二圖形,所述第一圖形包括至少兩個分立的第一子圖形,相鄰的第一子圖形之間具有相同的第一間隙,所述第一圖形的第一子圖形的特征尺寸小于第二圖形的特征尺寸;根據所述第一圖形形成第三圖形,所述第三圖形包括與第一子圖形對應的分立的第二子圖形;提取第三圖形中的偶數位的第二子圖形,并保持偶數位的第二子圖形位置不變,形成第四圖形;將第二圖形寫入第一掩模版;將第四圖形寫入第二掩模版。本發明提供的雙重圖形曝光掩模制造方法簡單且分解精度高。
          • 雙重圖形曝光制造方法
          • [發明專利]配對圖形的插入方法、設備和存儲介質-CN202010302925.7在審
          • 張興洲 - 上海華虹宏力半導體制造有限公司
          • 2020-04-17 - 2020-08-21 - G06F30/392
          • 本申請公開了一種配對圖形的插入方法、設備和存儲介質,包括:在集成電路版圖插入第一配對圖形;沿插入方向,在距離第一配對圖形預定距離的位置插入第二配對圖形,第二配對圖形是與第一配對圖形在形狀上匹配的圖形;當第一配對圖形和第二配對圖形中存在任一配對圖形不滿足配對圖形插入標準時,沿移動方向移動第一配對圖形和第二配對圖形,直至第一配對圖形和第二配對圖形滿足配對圖形插入標準。本申請通過在集成電路版圖中插入在形狀上相互匹配的第一配對圖形和第二配對圖形,通過移動第一配對圖形和第二配對圖形以滿足配對圖形標準,在實現了在集成電路版圖中自動插入配對圖形的基礎上,降低了配對圖形的插入錯誤幾率
          • 配對圖形插入方法設備存儲介質
          • [發明專利]光刻圖形檢測方法及系統-CN201911157399.3在審
          • 張添壽 - 長鑫存儲技術有限公司
          • 2019-11-22 - 2021-05-25 - H01L21/66
          • 本發明涉及一種光刻圖形檢測方法及系統,光刻圖形檢測方法包括:提供第一子圖形;提供第二子圖形,且第二子圖形與第一子圖形構成待測的第一圖形;基于第一中心點將第一圖形旋轉第一預設角度得到第二圖形;判斷第一圖形與第二圖形是否完全重合,并基于判斷結果確定第一圖形是否為合格圖形。通過檢查新圖形與原圖形是否完全重合,判斷原圖形是否對稱,能夠方便、準確地驗證設計的光刻圖形是否合格。
          • 光刻圖形檢測方法系統
          • [發明專利]冗余金屬的填充方法-CN201911368197.3在審
          • 曹云;于明 - 上海華虹宏力半導體制造有限公司
          • 2019-12-26 - 2020-05-08 - G06F30/392
          • 本發明提供一種冗余圖形的填充方法,包括:提供一版圖,所述版圖上設置有主圖形區和冗余圖形區;提供至少三組待填充的冗余圖形;計算各組所述冗余圖形在所述冗余圖形區中的圖形密度;按照所述圖形密度從大到小的順序將各組所述冗余圖形依次填充在所述冗余圖形區中本發明中,先填充圖形密度大的所述冗余圖形可以快速提升所述冗余圖形區的有效圖形密度;進一步的,按照所述圖形密度從大到小的順序填充所述冗余圖形,可以有效減小冗余圖形圖形密度差異,從而使得在整個晶片上(主圖形區和冗余圖形區)達到均勻的有效圖形密度,從而改善微負荷效應。
          • 冗余金屬填充方法
          • [發明專利]輔助圖形的形成方法和曝光目標圖形的修正方法-CN201310745670.1有效
          • 王鐵柱;舒強 - 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
          • 2013-12-30 - 2015-07-01 - G03F7/20
          • 一種輔助圖形的形成方法和一種曝光目標圖形的修正方法,所述輔助圖形的形成方法包括:將所述下層圖形和當前層圖形重疊,形成第二圖形;將所述第二圖形取反,獲得第三圖形;將所述第三子圖形的尺寸長度和寬度均縮小第一預設值,形成第四圖形;去除所述第四圖形中的不可曝光的部分第四子圖形,形成第五圖形,所述第五圖形作為當前層圖形的輔助圖形。所述曝光目標圖形的形成方法包括:將所述下層曝光目標圖形和待修正圖形重疊,形成重疊圖形;建立光刻分辨率限制表;根據所述光刻分辨率限制表,對與第一下層子圖形有重疊的部分第一待修正子圖形的尺寸進行修正,形成第一修正子圖形可以提高掩膜版的透光率、提高對曝光目標圖形進行修正的準確性。
          • 輔助圖形形成方法曝光目標修正
          • [發明專利]曝光目標圖形的修正方法-CN201710073602.3有效
          • 王鐵柱;舒強 - 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
          • 2013-12-30 - 2019-01-22 - G03F7/20
          • 一種輔助圖形的形成方法和一種曝光目標圖形的修正方法,所述輔助圖形的形成方法包括:將所述下層圖形和當前層圖形重疊,形成第二圖形;將所述第二圖形取反,獲得第三圖形;將所述第三子圖形的尺寸長度和寬度均縮小第一預設值,形成第四圖形;去除所述第四圖形中的不可曝光的部分第四子圖形,形成第五圖形,所述第五圖形作為當前層圖形的輔助圖形。所述曝光目標圖形的形成方法包括:將所述下層曝光目標圖形和待修正圖形重疊,形成重疊圖形;建立光刻分辨率限制表;根據所述光刻分辨率限制表,對與第一下層子圖形有重疊的部分第一待修正子圖形的尺寸進行修正,形成第一修正子圖形可以提高掩膜版的透光率、提高對曝光目標圖形進行修正的準確性。
          • 曝光目標圖形修正方法

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