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          [發明專利]降低導通電阻的功率晶體管結構有效

          專利信息
          申請號: 202110727519.X 申請日: 2021-06-29
          公開(公告)號: CN113471279B 公開(公告)日: 2022-06-28
          發明(設計)人: 朱袁正;葉鵬;周錦程;劉晶晶;楊卓 申請(專利權)人: 無錫新潔能股份有限公司
          主分類號: H01L29/423 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
          代理公司: 無錫市興為專利代理事務所(特殊普通合伙) 32517 代理人: 屠志力
          地址: 214000 江蘇省*** 國省代碼: 江蘇;32
          權利要求書: 暫無信息 說明書: 暫無信息
          摘要: 發明提供一種降低導通電阻的功率晶體管結構,包括:第一導電類型硅襯底,在第一導電類型硅襯底的上方設有第一導電類型硅外延,在所述第一導電類型硅外延內設有有源區與終端區;在終端區第一導電類型硅外延表面的場氧層的上方設有柵極總線多晶硅,所述柵極總線多晶硅的上方設有絕緣介質層,在終端區所述絕緣介質層的上方設有柵極總線金屬,所述柵極總線金屬通過絕緣介質層內的第三通孔與柵極總線多晶硅歐姆接觸。本申請通過將柵極總線金屬安置在終端區,能夠提高屏蔽柵溝槽型晶體管有源區內的有效的導電面積,能夠降低器件的導通電阻,并提高器件的電流均勻性。
          搜索關鍵詞: 降低 通電 功率 晶體管 結構
          【主權項】:
          暫無信息
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          該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫新潔能股份有限公司,未經無錫新潔能股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服

          本文鏈接:http://www.aube-tourisme.com/patent/202110727519.X/,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。

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          • 本發明公開了一種金屬柵,柵極凹槽分成底部凹槽和頂部凹槽。底部凹槽由偽柵極結構的去除區域組成,所述底部凹槽的寬度設置為柵極關鍵尺寸;底部凹槽的高度由第零層層間膜和偽柵極結構的平坦化工藝調節,通過降低底部凹槽的高度降低底部凹槽的高寬比且底部凹槽的高寬比調節到使金屬柵無空洞的填充底部凹槽。頂部凹槽位于底部凹槽的正上方且頂部凹槽的寬度大于底部凹槽的寬度,頂部凹槽的高寬比小于底部凹槽的高寬比,頂部凹槽的高度用于補償底部凹槽的高度降低。本發明還公開了一種金屬柵的制造方法。本發明能使柵極關鍵尺寸保持不變或降低的條件下,降低金屬柵的填充難度、由于金屬柵填充的工藝窗口并提高工藝健康度。
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          • 本發明提供一種多閾值邏輯功率器件及制備方法,通過接觸掩膜版的圖案化設計,可形成具有同一公共的溝槽柵極結構的接觸結構陣列,且可使得接觸結構陣列中的接觸結構的第二導電類型接觸部的邊緣與溝道邊緣之間具有不同的橫向間距,可實現多閥值邏輯狀態,從而通過外接電路可實現功率器件具有多閾值邏輯狀態以存儲信息;本發明在沒有添加任何額外的工藝步驟的前提下,即可制備具有不同閾值電壓,且具有存儲信息能力的多閾值邏輯功率器件,制備工藝簡單、費用低,且應用范圍較廣;閾值電壓的數目可靈活設計,以用來存儲多位元的數字信息或模擬信息于功率器件中;內置多閾值電壓的功率MOSFET和IGBT可用于大電流場合,且具有存儲信息的能力。
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          • 本發明提供一種降低導通電阻的功率晶體管結構,包括:第一導電類型硅襯底,在第一導電類型硅襯底的上方設有第一導電類型硅外延,在所述第一導電類型硅外延內設有有源區與終端區;在終端區第一導電類型硅外延表面的場氧層的上方設有柵極總線多晶硅,所述柵極總線多晶硅的上方設有絕緣介質層,在終端區所述絕緣介質層的上方設有柵極總線金屬,所述柵極總線金屬通過絕緣介質層內的第三通孔與柵極總線多晶硅歐姆接觸。本申請通過將柵極總線金屬安置在終端區,能夠提高屏蔽柵溝槽型晶體管有源區內的有效的導電面積,能夠降低器件的導通電阻,并提高器件的電流均勻性。
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          • 2017-12-15 - 2022-06-10 - H01L29/423
          • 一種形成半導體器件的方法包括:接收具有襯底、位于襯底上方的柵極溝槽以及位于襯底上方并圍繞柵極溝槽的介電層的結構。該方法還包括在柵極溝槽中形成柵極介電層、在柵極溝槽中并且在柵極介電層上方形成阻擋層以及處理阻擋層以使阻擋層的外表面粗糙,得到處理的阻擋層。該方法還包括在處理的阻擋層上方形成n型功函金屬層。本發明實施例涉及具有粗糙阻擋層的金屬柵極的結構和方法。
          • 一種膜結構、芯片基板及預處理裝置-202122800624.X
          • 錢凱;陸連;李全波 - 上海華力集成電路制造有限公司
          • 2021-11-16 - 2022-06-10 - H01L29/423
          • 本實用新型屬于微電子技術領域,公開了一種膜結構及與之相應的芯片基板和預處理裝置,使得不同深寬比的溝道在多介質層的刻蝕過程中得到了均衡處理;針對負載效應優化了特征圖形的膜結構,采用不對稱的設計使得不同區域的負載效應得到了改善;在16nm及以下應用場景下,可有效改善負載效應對工藝結構的影響,使長短溝道的功函數WFM刻蝕深度的負載值從140?改善至50?。
          • 一種負電容鰭型柵氮化鎵基功率晶體管及制備方法-202210219208.7
          • 任開琳;高蒙;張建華;殷錄橋;路秀真;郭愛英;王昊天 - 上海大學
          • 2022-03-08 - 2022-06-07 - H01L29/423
          • 本發明涉及一種負電容鰭型柵氮化鎵基功率晶體管及制備方法,負電容鰭型柵氮化鎵基功率晶體管包括:由下至上的襯底、氮化鎵溝道層、氮化鋁鎵勢壘層、氧化層、鐵電介質層和柵極,柵極為三維鰭式結構,且柵極由上至下覆蓋鐵電介質層、氧化層、氮化鋁鎵勢壘層和氮化鎵溝道層,且氧化層和鐵電介質層在柵極覆蓋的區域內形成三維鰭式結構;氮化鋁鎵勢壘層的上表面一端設有源極,另一端設有漏極;氧化層和鐵電介質層位于源極與漏極之間并連接漏極和源極。本發明采用負電容鰭型柵氮化鎵基功率晶體管,利用鐵電介質的負電容特性使加到氧化層表面的電壓大于柵極電壓,在同樣的溝道寬度下提供更高的功率放大倍數,提升了氮化鎵基功率晶體管的柵控能力。
          • 一種溝槽柵碳化硅MOSFET器件及其工藝方法-202210478523.1
          • 朱袁正;黃薛佺;楊卓;葉鵬 - 南京微盟電子有限公司;無錫新潔能股份有限公司
          • 2022-05-05 - 2022-06-07 - H01L29/423
          • 本發明涉及一種溝槽柵碳化硅MOSFET器件,在N型外延層內設有縱向溝槽,所述縱向溝槽將MOSFET器件表面分割成多個元胞區域,每個所述元胞區域內的所述N型外延層上設有P型體區,所述P型體區在所述N型外延層的注入深度大于所述縱向溝槽的深度,每個所述元胞區域內除P型體區和縱向溝槽外其他區域均設有JFET區域,在所述P型體區中還設有重摻雜的N型源極,所述N型源極和縱向溝槽相接,所述P型體區表面除重摻雜的N型源極外其他區域均設有重摻雜的P型源極。本發明結構對MOSFET器件的柵氧化層提供較為全面的保護,同時改善器件JFET電阻,降低器件總導通電阻。
          • 半導體器件及其制造方法-202110418016.4
          • 王虎;何應春;張繼亮;顧林;陳翔 - 華虹半導體(無錫)有限公司
          • 2021-04-19 - 2022-06-07 - H01L29/423
          • 本發明公開了一種半導體器件,包括:覆蓋在源漏區以及柵極結構表面的第一富硅氧化物層,在第一富硅氧化物層的表面形成有接觸刻蝕停止層。層間膜形成于接觸刻蝕停止層的表面并將柵極結構之間的間隔區域完全填充。層間膜采用HDP氧化膜。第一富硅氧化物層由多層富硅氧化物子層疊加而成,各層富硅氧化物子層分開沉積使得各上下相鄰的所述富硅氧化物子層之間存在界面層,通過調節界面層的層數來防止層間膜的形成工藝中的等離子體電荷穿過從而保護柵介質層。本發明還公開了一種半導體器件的制造方法。本發明能防止層間膜的等離子體電荷擴散到柵介質層中,從而能提高柵介質層的擊穿電壓。
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