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          [發明專利]耗盡型晶體管驅動電路及芯片有效

          專利信息
          申請號: 202010244348.0 申請日: 2020-03-31
          公開(公告)號: CN111478689B 公開(公告)日: 2022-06-28
          發明(設計)人: 張益鳴;劉杰 申請(專利權)人: 深圳芯能半導體技術有限公司
          主分類號: H03K17/687 分類號: H03K17/687
          代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 代理人: 張美君
          地址: 518000 廣東省深圳市龍*** 國省代碼: 廣東;44
          權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
          摘要: 發明公開一種耗盡型晶體管驅動電路及芯片。該電路中,低壓MOS管的漏極與主耗盡型晶體管的源極相連,低壓MOS管的源極接地;間接鎖定電路與供電端和低壓MOS管的柵極相連,用于驅動低壓MOS管開啟,在主耗盡型晶體管初次開啟后鎖定低壓MOS管處于常開狀態;直接驅動電路與供電端、主耗盡型晶體管的柵極和低壓MOS管的源極相連,用于直接驅動主耗盡型晶體管的開啟或關閉;輔助驅動電路與供電端、直接驅動電路、間接鎖定電路以及低壓MOS管的源極相連,用于驅動間接鎖定電路鎖定低壓MOS管處于常開狀態;在供電端下電后,驅動低壓MOS管關閉,控制直接驅動電路對主耗盡型晶體管進行關閉。該電路可以提高低壓MOS管的開關速度并保障主耗盡型晶體管的高速開關特性。
          搜索關鍵詞: 耗盡 晶體管 驅動 電路 芯片
          【主權項】:
          暫無信息
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          本文鏈接:http://www.aube-tourisme.com/patent/202010244348.0/,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。

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          • 2021-09-13 - 2022-06-07 - H03K17/687
          • 本申請提供了一種星載設備中使用的切換電路及切換方法,其中,星載設備中包含有切換電路、主設備和該主設備的備用設備,該切換電路包括:場效應管開關器件、信號取反電路和接地電路;場效應管開關器件分別連接主設備、備用設備、信號取反電路和接地電路;接地電路分別連接主設備、備用設備和場效應管開關器件;主設備連接信號取反電路。本申請中通過信號取反電路和場效應管開關器件組成的簡單切換電路不存在鎖存狀態的情況,降低了太空輻射對該切換電路的影響,從而可以提高對星載設備中的主設備和備用設備切換的穩定性。
          • 一種高溫、高頻SiC-MOSFET隔離式驅動電路結構-202123380071.3
          • 左希光;段亞東;張雷;劉琰;潘雅敏;溫玉波;楊淼;劉巖 - 青島海博瑞微電子研究所有限公司
          • 2021-12-29 - 2022-06-07 - H03K17/687
          • 本實用新型提供了一種高溫、高頻SiC?MOSFET隔離式驅動電路結構,電路的輸入端連接電阻R1;電阻R1的另一端連接發射器的輸入端;發射器輸入地端接數字地,接收器的輸入端連接發射器的輸出端;其輸出端分別連接接隔離電源的VCC+引腳與VCC?引腳,以及柵驅動器的輸入端;接收器的輸出端與隔離電源的VCC+引腳之間還連接有電阻R2,接收器的輸出端與隔離電源VCC?引腳之間連接有電容C1,隔離電源的VCC+引腳與隔離電源的VCC?引腳之間連接有電容C2;柵驅動器的VCC+引腳與VCC?引腳之間連接有電容C3;基于以上設計的SiC?MOSFET/IGBT高溫隔離式驅動器,可以在175℃的環境下使用,適用于高壓大功率高端開關應用三相電機驅動以及半橋、H橋驅動。
          • MOSFET的驅動與電流保護控制方法-202210186766.8
          • 韓新紅;李飛;姚欣 - 河南嘉晨智能控制股份有限公司
          • 2022-02-28 - 2022-06-03 - H03K17/687
          • 本發明公開了一種MOSFET的驅動與電流保護控制方法,包括MOSFET的驅動與電流保護電路,所述MOSFET的驅動與電流保護電路包括與被檢測器件Q連接的電流采樣電路和電阻R、與電流采樣電路連接的過流檢測電路、與過流檢測電路連接的比較器UB、與比較器UB圖騰柱驅動電路,圖騰柱驅動電路與被檢測器件Q用于驅動被檢測器件Q,驅動信號與比較器Ub連接用于使圖騰柱驅動電路工作,過流檢測電路包括滯回比較器電路,本發明滯回比較器電路的設置,簡化鎖存功能電路設計,圖騰柱驅動電路的設置,滿足MOSFET對驅動峰值電流,上升率等要求,實現快速的硬件保護。
          • 一種開關管驅動電路-202210489273.1
          • 吳飛權;劉杰 - 深圳芯能半導體技術有限公司
          • 2022-05-07 - 2022-06-03 - H03K17/687
          • 本發明公開了一種開關管驅動電路,涉及集成電路中的柵極驅動技術領域,第二驅動電路串設有第一開關管和第二開關管;第一開關管的控制端連接第一驅動電路,第二開關管的控制端用于接收所述第二驅動電路的邏輯控制信號;第一反饋控制電路,包括電壓檢測電路和第一電壓放大電路,電壓檢測電路的輸入端連接第二驅動電路的輸出端,電壓檢測電路的輸出端連接第一電壓放大電路的輸入端,第一電壓放大電路的輸出端連接第二開關管的控制端。第二開關導通時,驅動信號穩定在開關管柵極工作電壓附近,使驅動信號在負載波動時保持穩定,在不增加芯片面積的同時,有效地提高了開關管驅動電路的驅動能力。
          • 一種NMOS管高端驅動電路-202210268279.6
          • 白立;蘭啟洪;劉超;伍艷麗;王科發;袁宇 - 成都肯保捷電子有限公司
          • 2022-03-18 - 2022-06-03 - H03K17/687
          • 一種NMOS管高端驅動電路,所述驅動電路包括:升壓模塊、濾波模塊和電壓輸出模塊;升壓模塊對輸入的第一電壓和第二電壓進行整合升壓得到第三電壓,再通過濾波模塊對第三電壓進行濾波得到第四電壓,電壓輸出模塊接收第四電壓并將通過穩壓后向NMOS管的柵極源極輸出第五電壓,第一電壓也為負載的電源電壓,即NMOS管的漏極的電壓,由于第五電壓大于第一電壓,即NMOS管的柵極電壓大于第一電壓,NMOS管導通時源極電壓為第一電壓,所以NMOS的柵極電壓大于源極電壓,從而實現對接在NMOS管高邊的負載的驅動,從而實現對接在NMOS管高邊的負載的驅動,解決了現有技術中低邊驅動導致負載容易誤啟動該負載的問題。
          • 一種開關電路和高速多路復用/分配器-201811268024.X
          • 徐希;夏洪鋒;陶成;陳余;季翔宇;付家喜 - 龍迅半導體(合肥)股份有限公司
          • 2018-10-29 - 2022-06-03 - H03K17/687
          • 本申請提供一種開關電路和高速多路復用/分配器,開關電路包括:均衡模塊和第一MOS管;所述第一MOS管的柵極與所述均衡模塊的輸出端相連,所述第一MOS管的輸入端用于獲取信號源輸出的信號,所述第一MOS管的輸出端與后級電路相連;所述均衡模塊用于:當獲取到用于控制所述開關電路工作的工作信號時,向所述第一MOS管提供導通信號,以使得所述第一MOS管導通,當所述第一MOS管導通時,生成一個與流經所述第一MOS管的信號的衰減所匹配的適當的補償信號,將所述補償信號施加到所述第一MOS管的柵極,并通過第一MOS管的柵氧電容耦合到信號路徑,實現了對所述第一MOS管在的通路上的信號進行補償。
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