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          專利名稱
          主分類
          A 農業
          B 作業;運輸
          C 化學;冶金
          D 紡織;造紙
          E 固定建筑物
          F 機械工程、照明、加熱
          G 物理
          H 電學
          專利下載VIP
          公布日期
          2022-07-26 公布專利
          2022-07-22 公布專利
          2022-07-19 公布專利
          2022-07-15 公布專利
          2022-07-12 公布專利
          2022-07-08 公布專利
          2022-07-05 公布專利
          2022-07-01 公布專利
          2022-06-28 公布專利
          2022-06-24 公布專利
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          專利權人
          國家電網公司
          華為技術有限公司
          浙江大學
          中興通訊股份有限公司
          三星電子株式會社
          中國石油化工股份有限公司
          清華大學
          鴻海精密工業股份有限公司
          松下電器產業株式會社
          上海交通大學
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          • [發明專利]互連結構及其形成方法-CN202110686046.3在審
          • 江政鴻;巫幸晃;劉家瑋 - 臺灣積體電路制造股份有限公司
          • 2021-06-21 - 2022-07-26 - H01L23/528
          • 一種互連結構及其形成方法,互連結構可包括:互連面介電材料層,其位于基板上方;第一金屬互連結構,其嵌入于互連面介電材料層中,且包括第一金屬障壁襯墊及第一金屬填充材料部分;及上覆介電材料層。上覆介電材料層中的開口可整個形成于第一金屬障壁襯墊的區域中及第一金屬填充材料部分的區域外,以減少電漿損傷??稍陂_口中形成第二金屬互連結構,其接觸第一金屬障壁襯墊的頂表面。第一金屬填充材料部分的頂表面的整體接觸上覆介電材料層的底表面。
          • 互連結構及其形成方法
          • [發明專利]半導體結構-CN202110652726.3在審
          • 張任遠;賴佳平;李建璋 - 臺灣積體電路制造股份有限公司
          • 2021-06-11 - 2022-07-26 - H01L27/108
          • 本案描述的一些實施例提供了一種半導體結構。半導體結構包括一電容器元件,此電容器元件位于基板的凹入部分中。此凹入部分具有側壁及位于基板的頂表面下方的底表面。半導體結構包括設置在電容器元件下方且在凹入部分內的介電材料。半導體結構包括鄰近凹入部分的側壁中的一或多者的第一導電結構。第一導電結構可包括基板的導電部分或設置在凹入部分內的導電材料。半導體結構包括耦接至第一導電結構的第二導電結構,其中第二導電結構提供從第一導電結構至電壓源極或電壓漏極的電連接。
          • 半導體結構
          • [發明專利]半導體裝置-CN202210066604.0在審
          • 蔡國強;林昕篁;陳志輝 - 臺灣積體電路制造股份有限公司
          • 2022-01-20 - 2022-07-26 - H01L21/8234
          • 本公開涉及一種半導體裝置,其中,一或多個主動區結構各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板,并在第一水平方向中水平延伸。源極/漏極構件在垂直方向中位于主動區結構上。源極/漏極接點在垂直方向中位于源極/漏極構件上。源極/漏極接點包括底部與頂部。保護襯墊層位于源極/漏極接點的頂部的側表面上,但不位于源極/漏極接點的底部的側表面上。
          • 半導體裝置
          • [發明專利]形成封裝結構的設備-CN202210171534.5在審
          • 詹凱鈞;薛長榮;黃暉閔;林威宏;鄭明達 - 臺灣積體電路制造股份有限公司
          • 2022-02-24 - 2022-07-26 - H01L21/683
          • 本公開一些實施例提供一種形成封裝結構的設備。所述設備包括用于接合第一封裝部件和第二封裝部件的加工腔室。所述設備還包括設置于加工腔室中的接合頭。接合頭包括與多個真空裝置連通的多個真空管。所述設備還包括連接至接合頭的噴嘴,配置以固持第二封裝部件。噴嘴包括與真空管重疊的多個第一孔。噴嘴還包括偏離第一孔的多個第二孔,其中第二孔與第二封裝部件的至少兩邊緣重疊。此外,所述設備包括設置于加工腔室中的吸盤座,且吸盤座是配置以固持和加熱第一封裝部件。
          • 形成封裝結構設備
          • [發明專利]互連結構-CN202210172290.2在審
          • 朱慧捷;吳杰翰;姚欣潔;蔡政勛;李忠儒 - 臺灣積體電路制造股份有限公司
          • 2022-02-24 - 2022-07-26 - H01L21/768
          • 本公開提出一種互連結構。示例性的互連結構包括第一導電部件,具有第一厚度;第一介電材料,與第一導電部件相鄰設置,其中第一介電材料具有大于第一厚度的第二厚度;第二導電部件,與第一介電材料相鄰設置;第一蝕刻停止層,設置在第一導電部件上;第二蝕刻停止層,設置在第一介電材料上;以及第二介電材料,設置在第一蝕刻停止層和第二蝕刻停止層上,其中第二介電材料與第一介電材料接觸。在一些實施例中,第一蝕刻停止層包括第一材料,且第二蝕刻停止層包括不同于第一材料的第二材料。
          • 互連結構
          • [發明專利]半導體裝置-CN202210172772.8在審
          • 金書正;劉耀閔;蘇鴻文;林其鋒;紀志堅 - 臺灣積體電路制造股份有限公司
          • 2022-02-24 - 2022-07-26 - H01L21/768
          • 本公開提出一種半導體裝置。半導體裝置包括絕緣層,其中絕緣層具有通孔開口與導電線路開口。半導體裝置還包括通孔位于通孔開口中,其中通孔包括第一導電材料。半導體裝置還包括導電線路位于導電線路開口中。導電線路包括第一襯墊層,其中通孔上的第一襯墊層的第一厚度,小于絕緣層上的第一襯墊層的第二厚度;以及導電填充層,包括第二導電材料,且第二導電材料與第一導電材料不同。
          • 半導體裝置

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